吉時(shí)利幾個(gè)設(shè)計(jì)問(wèn)題的解答

Q1：芯片越來(lái)越小，以后的晶片測(cè)試將如何完成？

A1：當(dāng)芯片越來(lái)越小，對(duì)測(cè)試來(lái)說(shuō)，會(huì)看到兩個(gè)趨勢(shì)，脈沖和快速的測(cè)試，脈沖主要是應(yīng)對(duì)像SOI，High-K材料這樣新工藝，對(duì)于快速測(cè)試來(lái)說(shuō)，我們可能要應(yīng)對(duì)NBTI或者是行進(jìn)間的擊穿這樣的現(xiàn)象。

Q2：請(qǐng)問(wèn)有否關(guān)于Mosfet 的好的性能檢測(cè)方案？

A2：對(duì)于Mosfet來(lái)說(shuō)，您可能需要一些手動(dòng)參數(shù)的系統(tǒng)，吉時(shí)利4200是一個(gè)非常流行的好的解決方案，您可以通過(guò)4200配置若干個(gè)數(shù)字源表單元，就可以完成您的摩斯管的特定參數(shù)分析。

Q3：對(duì)于半導(dǎo)體器件壽命提前測(cè)試現(xiàn)今的主要手段是什么？

A3：目前最可靠的手段是WLR，傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試常常是在，把一個(gè)芯片分裝作成成產(chǎn)品之后再做測(cè)試，在這種情況下，如果您發(fā)現(xiàn)芯片有壽命問(wèn)題，在整個(gè)過(guò)程中，您花費(fèi)的成本是非常大，我們現(xiàn)在往往會(huì)把可靠性測(cè)試往前提，就是說(shuō)把它提到在芯片制造過(guò)程中，就可以做一些可靠性測(cè)試，對(duì)于像Mosfet，現(xiàn)在有一些標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試項(xiàng)目，像講義中提到過(guò)的NBTI等，這些都是一些非常標(biāo)準(zhǔn)的WLR測(cè)試項(xiàng)目，然后可以通過(guò)對(duì)這些項(xiàng)目進(jìn)行檢測(cè)，就可以對(duì)半導(dǎo)體的壽命進(jìn)行提前預(yù)測(cè)。

Q4：stress 是由加的電流電壓的熱效應(yīng)引起的嗎？

A4：在可靠性測(cè)試中所謂的stress指的是加電壓或者是電流的偏壓，在時(shí)間上維持一個(gè)周期。由于stress會(huì)引起器件的很多變化，以HCI為例子，stress會(huì)引起器件的特性參數(shù)漂移，造成器件的損傷，或者有stress引起的物理或者是化學(xué)的效應(yīng)，熱效應(yīng)其實(shí)不是一個(gè)最主要的原因。